MMBT2222AQ-7-F规格书应用电路批发采购第2页-114ic电子网

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MMBT2222A	文件：60.61 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtaped	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT2222A	文件：211.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222A	文件：367.09 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeAmplifier P/Lead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222A	文件：118.98 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER FEATURES *Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitch requiringcollectorcurrentsupto600mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT2222A	文件：128.09 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222A	文件：212.72 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222A	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT2222A	文件：224.95 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MMBT2222A	文件：203.8 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryPNPtypeavailableMMBT2907A. •Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS •Useasamediumpoweramplifier. •Switchingrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2222A	文件：262.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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产品属性

产品编号：
MMBT2222AQ-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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