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MMBT200A	文件：51.06 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT200A	文件：491.86 Kbytes Page：12 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT200A	文件：883.32 Kbytes Page：12 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMC-200G	文件：255.31 Kbytes Page：1 Pages	EMClutch	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MMD200FB	文件：311.29 Kbytes Page：3 Pages	200AThree-PhaseRectifierBridgeModule	MACMICMacmic Science&Technology Co.,Ltd. 宏微科技江苏宏微科技股份有限公司	MACMIC
MMD200S	文件：196.78 Kbytes Page：3 Pages	200ARectifierDiodeModule	MACMICMacmic Science&Technology Co.,Ltd. 宏微科技江苏宏微科技股份有限公司	MACMIC
MMK200S	文件：408.3 Kbytes Page：4 Pages	MMK200SThyristor/DiodeModule	MACMICMacmic Science&Technology Co.,Ltd. 宏微科技江苏宏微科技股份有限公司	MACMIC
MMT.200	文件：200.26 Kbytes Page：1 Pages	8.35x3.95x5.0mm	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
MOX200	文件：334.75 Kbytes Page：2 Pages	RoHScompliant	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
MOX200	文件：334.75 Kbytes Page：2 Pages	Wideresistanceranges	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE

详细参数

型号：
MMBT200_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT200_Q供应商更新时间2025-7-26 17:02:00

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