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MMBT100	文件：44.49 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 文件：44.49 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT100	文件：71.22 Kbytes Page：7 Pages	PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 文件：71.22 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT100	文件：190.26 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier 文件：190.26 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT100	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10.	TI 德州仪器	TI
MMBT100	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 通用放大器 NPN通用放大器该器件设计用于集电极电流达到300 mA的通用放大器应用。采用工艺10设计。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT100A	文件：44.49 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 文件：44.49 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT100A	文件：71.22 Kbytes Page：7 Pages	PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 文件：71.22 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT100A	文件：190.26 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier 文件：190.26 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT100A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT100
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 20mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，5V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

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更多MMBT100供应商更新时间2025-12-10 23:01:00

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