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RF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMMBR5179LT1isalownoise,highgain,discretesiliconbipolartransistorshousedinlowcostplasticpackages. KEYFEATURES ◾HighFTau-1.4GHz ◾Lownoise-4.5dB@200MHz ◾LowcostSOT23package APPLICATIONS/BENEFITS ◾LNA,Oscillator,Pre-Driver | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
RFAMPLIFIERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconHigh-FrequencyTransistor Designedforsmall–signalamplificationatfrequenciesto500MHz.Specificallypackagedforuseinthickandthin–filmcircuitsusingsurfacemountcomponents. •HighGain—Gpe=15dBTyp@f=200MHz •LowNoise—NF=4.5dBTyp@f=200 | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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