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NTE5485	文件：22.16 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier(SCR)8Amp Description: TheNTE5480throughNTE5487aremulti–purposePNPNsiliconcontrolledrectifiersinaTO64typepackagesuitedforindustrialandconsumerapplications.These8ampdevicesareavailableinvoltagesrangingfrom25Vto600V. Features: •UniformLow–LevelNoise–ImmuneGateT	NTE NTE Electronics	NTE
NVMFD5485NL	文件：86.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PLMH5485DGKSEP	文件：1.52198 Mbytes Page：31 Pages	LMH5485-SEPRadiationTolerant,NegativeRailInput,Rail-to-RailOutput,Precision,850MHzFullyDifferentialAmplifier 1Features •Radiationtolerant –TIDassuredforeverywaferlotupto30krad (Si) –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto LET=43MeV-cm2/mg –Qualifiedoverthemilitarytemperaturerange:.. –55°Cto125°C •Gainbandwidthproduct(GBWP):850MHz •Slewrate:1300V/μs •HD2,HD3:	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
PLMH5485DGKSEP	文件：1.74987 Mbytes Page：35 Pages	LMH5485-SEPRadiationTolerantNegativeRailInput,Rail-to-RailOutput,Precision,850MHzFullyDifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLMH5485HKX/EM	文件：1.82124 Mbytes Page：33 Pages	LMH5485-SPRadiationHardenedAssured(RHA)NegativeRailInput,Rail-to-RailOutput,Precision,850MHzFullyDifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLMH5485HKXSLASHEM	文件：1.82124 Mbytes Page：33 Pages	LMH5485-SPRadiationHardenedAssured(RHA)NegativeRailInput,Rail-to-RailOutput,Precision,850MHzFullyDifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PMBF5485	文件：96 Kbytes Page：10 Pages	N-channelfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channel,symmetrical,siliconjunctionFETsinasurface-mountableSOT23envelope.IntendedforuseinVHF/UHFamplifiers,oscillatorsandmixers. FEATURES •Lownoise •Interchangeabilityofdrainandsourceconnections •Highgain.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI5485DU	文件：128.68 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMP5485	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SN5485	文件：658.25 Kbytes Page：10 Pages	4-BITMAGNITUDECOMPARATORS	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
MMBF5485_Q
功能描述：
射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
N-Channel 正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
电阻汲极/源极
RDS（导通）：
漏源电压
VDS：
40 V
闸/源截止电压：
5 V
闸/源击穿电压：
40 V
最大漏极/栅极电压：
40 V 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
25 mA to 75 mA
功率耗散：
250 mW
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MMBF5485LT1G	ON/安森美	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多MMBF5485_Q供应商更新时间2025-5-16 11:00:00

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