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MMBD914LT1G	文件：52.34 Kbytes Page：3 Pages	High?뭆peed Switching Diode High−Speed Switching Diode Features • Pb−Free Package is Available 文件：52.34 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：132.88 Kbytes Page：4 Pages	High-Speed Switching Diode Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：132.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：194.26 Kbytes Page：6 Pages	Switching Diode, High Speed, 100 V Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：194.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：123.7 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Diode 文件：123.7 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：2.68409 Mbytes Page：36 Pages	Gigabit Ethernet Switch Evaluation Board 文件：2.68409 Mbytes 页数：36 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MMBD914LT1G	文件：90.11 Kbytes Page：4 Pages	High-Speed Switching Diode 文件：90.11 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G_09	文件：123.7 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Diode 文件：123.7 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G_16	文件：90.11 Kbytes Page：4 Pages	High-Speed Switching Diode 文件：90.11 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	开关二极管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 100V 200MA SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBD914LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

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