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MMBD7000LT1G

Dual Switching Diode

Dual Switching Diode Features • Pb−Free Packages are Available

文件:90.89 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD7000LT1_05

Dual Switching Diode

文件:49.28 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD7000LT1_15

Surface mount switching diode

文件:232.46 Kbytes 页数:3 Pages

WINNERJOIN

永而佳

MMBD7000LT1G

Dual Switching Diode These Devices are Pb?묯ree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

文件:126.91 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD7000LT1G

Dual Switching Diode

文件:49.28 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD7000LT1G_09

Dual Switching Diode These Devices are Pb?묯ree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

文件:126.91 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD7000LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

ONSEMI

安森美半导体

MMBD7000LT1HTSA1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

Infineon

英飞凌

技术参数

  • IFAV (A):

    0.2

  • VF_Max(V):

    1.1

  • VF_IF(A):

    0.1

  • IR @ Ta=25℃_Max(μA):

    3

  • IR @ Ta=25℃_VR(V):

    100

  • Trr(ns):

    4

  • Case:

    SOT-23

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更多MMBD7000LT1供应商 更新时间2025-10-9 16:23:00