订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MMBD352WT1G>芯片详情
MMBD352WT1G 分立半导体产品二极管 - 射频 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:MMBD352WT1G品牌:ON(安森美)
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
MMBD352WT1G是分立半导体产品 > 二极管 - 射频。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/SC-70,SOT-323的MMBD352WT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
MMBD352WT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
肖特基 - 1 对串联
- 电压 - 峰值反向(最大值):
7V
- 不同 Vr、F 时电容:
1pF @ 0V,1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SC-70-3(SOT323)
- 描述:
RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70
供应商
相近型号
- MMBD352LT3
- MMBD354
- MMBD354LT1
- MMBD354LT1(MGH)
- MMBD352LT1G
- MMBD354LT1G
- MMBD352LT1
- MMBD352_R1_00001
- MMBD352
- MMBD354W
- MMBD355
- MMBD330WST/R
- MMBD355LT1
- MMBD330WS-R1-00001
- MMBD355LT1G
- MMBD330WS_R1_0001
- MMBD355W
- MMBD330WS_R1_00001
- MMBD3595
- MMBD330WS
- MMBD3904LT1
- MMBD330W_R1_00001
- MMBD3904LT1G
- MMBD330W
- MMBD3946
- MMBD330TI
- MMBD3946DW-7-F
- MMBD4143
- MMBD330T1GIC
- MMBD4148
- MMBD4148(5D)
- MMBD330T1G
- MMBD4148(A6)
- MMBD330T14T
- MMBD4148(CA/CC/SE)
- MMBD330T1/4T
- MMBD4148(MP-49)
- MMBD4148,215
- MMBD330T1(4T)
- MMBD330T1
- MMBD330LT1G
- MMBD4148.215
- MMBD330DWT1G
- MMBD4148/KA2
- MMBD330DW
- MMBD4148_D87Z
- MMBD330
- MMBD4148_NL
- MMBD318SLF
- MMBD4148_R1_00001