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HighCurrentGainMediumPowerNPNEpitaxialPlanarTransistor HighCurrentGainMediumPowerNPNEpitaxialPlanarTransistor AUDIOMUTINGAPPLICATION Features •HighEmitter-Basevoltage,VEBO=12V(min). •HighDCcurrentgain,hFE=1200(min.)@VCE=3V,IC=10mA. •LowVCESAT,VCESAT=0.16Vtyp.@IC=500mA,IB=20mA. •Pb-freeandhalogen-freepackage. | CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司 | CYSTEKEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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