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MM1Z12B	文件：83.93 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES VZ:2.0to39V PD:500mW FEATURES: TotalPowerDissipation500mW SmallPlasticPackagesuitableforsurfacemounteddesign Toleranceapproximately±2 WideZenerReverseVoltageRange2.0Vto39V *Pb/RoHSFree	EIC EIC
MM1Z12B	文件：593.8 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR ZENER DIODES Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Highreliability	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
1Z12	文件：218.64 Kbytes Page：4 Pages	DIODE(CONSTANTVOLTAGEREGULATION)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1Z12	文件：202.46 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:1.0W FEATURES ♦Siliconplanarpowerzenerdiodes ♦Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ♦Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixAfor±5tolerance.Otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1Z12	文件：5.05046 Mbytes Page：2 Pages	CONSTANTVOLTAGEREGULATION	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
1Z12	文件：271.61 Kbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes POWERDISSIPATION:1.0W Features ♦Siliconplanarpowerzenerdiodes ♦Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ♦Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixAfor±5tolerance.Otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
1Z12	文件：157.4 Kbytes Page：1 Pages	1Wepoxysealtype	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1Z12A	文件：5.05046 Mbytes Page：2 Pages	CONSTANTVOLTAGEREGULATION	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
1Z12A	文件：271.61 Kbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes POWERDISSIPATION:1.0W Features ♦Siliconplanarpowerzenerdiodes ♦Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ♦Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixAfor±5tolerance.Otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
1Z12A	文件：202.46 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:1.0W FEATURES ♦Siliconplanarpowerzenerdiodes ♦Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ♦Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixAfor±5tolerance.Otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1Z12A	文件：218.64 Kbytes Page：4 Pages	DIODE(CONSTANTVOLTAGEREGULATION)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
C1Z12B	文件：205.19 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODE3.3VOLTSTHRU91VOLTS1.0W,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORC1Z3.3BSeriesSiliconZenerDiodeisahighqualityepoxymoldedvoltageregulatordesignedforuseinindustrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
ESD1Z12	文件：188.83 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressors	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
MM1Z12	文件：544.59 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 百特森深圳市百特森电子有限公司
MM1Z12	文件：538.33 Kbytes Page：4 Pages	0.5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.0to120V(E24range) •Toleranceapproximately±5 •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals •Componentinaccordan	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司
MM1Z12	文件：890.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Siliconplanarzenerdiodeinasmallplastic Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitablefor •surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges:nom.2.0to120V(E24range) •Toleranceapproximately+/-5	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司
MM1Z12	文件：1.04178 Mbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
MM1Z12	文件：776.59 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes FEATURES •Totalpowerdissipation:Max.500mW. •Widezenerreversevoltagerange2.0Vto75V. •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign. •Toleranceapproximately±5	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司
MM1Z12	文件：272.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
MM1Z12	文件：236.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
MM1Z12B
制造商：
HTSEMI
制造商全称：
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
功能描述：
SILICON PLANAR ZENER DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海专毅电子科技有限公司	MM1Z12B	ST先科	17+	NA	9998	全新原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MM1Z12B	AVAGO/安华高	23+	17	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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深圳市宝隆宏业科技有限公司	MM1Z12B	ST/意法	2122+	SOD-123	16800	全新原装正品现货,优势渠道可含税,假一赔十	询价
北京三盛恒业电子有限公司	MM1Z12B	晶导微电子	21+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
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