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UPA2751GR	文件：336.81 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2751GRisasymmetricaldualN-ChannelMOS FieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersof notebookcomputersandsoon. FEATURES •Asymmetricdualchiptype •Lowon-stateresistance,LowCiss CH1:RDS(on)2:21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A) Ciss=1040pF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2751GRisasymmetricaldualN-ChannelMOS FieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersof notebookcomputersandsoon. FEATURES •Asymmetricdualchiptype •Lowon-stateresistance,LowCiss CH1:RDS(on)2:21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A) Ciss=1040pF

RENESASRenesas Technology Corp

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更多ML2751DT-T供应商更新时间2025-7-28 17:01:00

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