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MKI50-12F7

Full Bridge IGBT Modules

·Vces: 600V and 1200V. Ic(25): 45A - 165A\n·NPT or NPT³ IGBT with low Vce(sat), low switching losses, high RBSOA and short circuit ruggedness\n·short tail current for optimized performance in resonant circuits\n·Hiperfast diodes with soft recovery\n·Package with insulated copper base plate (2500V r;

Littelfuse

力特

MKI50-12F7

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

文件:81.84 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

MKI50-12F7

Package:E2;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2

IXYS

艾赛斯

MKL03Z32CBF4R

WLCSP20

恩XP

MKL04Z32VFK4

QFN24

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市旺财半导体有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MKI50-12F7

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    全桥反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.8V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    E2

  • 供应商器件封装:

    E2

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MKI50-12F7供应商 更新时间2026-2-1 13:02:00