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MJW21195中文资料Bipolar Transistor, PNP, 250 V, 16 A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJW21195

参数属性

MJW21195 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 250V 16A TO247-3

功能描述

Bipolar Transistor, PNP, 250 V, 16 A
TRANS PNP 250V 16A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:10:00

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MJW21195规格书详情

描述 Description

The MJW21196 NPN Bipolar Complementary Audio Power Transistor utilizes Perforated Emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

特性 Features

• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain –hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJW21195属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJW21195晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJW21195

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :16

  • VCEO(sus) Min (V)

    :250

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :80

  • PTM Max (W)

    :200

  • fT Min (MHz)

    :4

  • Package Type

    :TO-247-3

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