MJW21194中文资料Bipolar Transistor, NPN, 250 V, 16 A数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJW21194 |
| 参数属性 | MJW21194 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 250V 16A TO247-3 |
| 功能描述 | Bipolar Transistor, NPN, 250 V, 16 A |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 11:08:00 |
| 人工找货 | MJW21194价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJW21194规格书详情
描述 Description
The MJW21194 Bipolar Complementary Audio Power Transistor utilizes Perforated Emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
特性 Features
• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain - hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
简介
MJW21194属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJW21194晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJW21194
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：16
- VCEO(sus) Min (V)
：250
- hFE Min
：20
- hFE Max
：70
- PTM Max (W)
：200
- fT Min (MHz)
：4
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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