| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-247 |
5000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONTO-3P |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONTO-3P |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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5000 |
公司存货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
97323 |
22+ |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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onsemiTO-247-3 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONTO-3P |
1 |
05+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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ONTO-3P |
35400 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-3P |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
97323 |
22+ |
终端免费提供样品 可开78%增值税发票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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onsemiTO-220FP |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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ON |
2800 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-247 |
150 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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ON. |
3134 |
2020+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
MJW21192采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJW21192图片
MJW21192G中文资料Alldatasheet PDF
更多MJW21192功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJW21192_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W
MJW21192G功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MJW21192
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1.6A，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
TRANS NPN 150V 8A TO247-3
