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MJW21191	文件：150.78 Kbytes Page：8 Pages	8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS Specifically designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers. • DC Current Gain Specified up to 8.0 Amperes at Temperature • All On Characteristics at Temperature • High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms • TO–247AE Package 文件：150.78 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MJW21191	文件：242.12 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain • High Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers. 文件：242.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJW21191	文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain Specified up to 8.0 at Temperature • High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms • TO−3PN Package • Complement to Type MJW21192 APPLICATIONS • designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers applications 文件：75.71 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJW21191	文件：119.05 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-247 package • Complement to type MJW21192 • Wild area of safe operation APPLICATIONS • Designed for power audio output, high power drivers in audio amplifiers 文件：119.05 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJW21191	文件：150.78 Kbytes Page：8 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Specifically designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers. • DC Current Gain Specified up to 8.0 A at Temperature • All On Characteristics at Temperature • High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms • TO−247AE Package • Pb−Free Packages are Available* 文件：150.78 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJW21191	文件：120.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：120.62 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJW21191	文件：73.63 Kbytes Page：6 Pages	8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W 文件：73.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJW21191	文件：300 bytes Page：1 Pages	8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS	恩XP	恩XP
MJW21191	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail	NJS	NJS
MJW21191	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER

产品属性

产品编号：
MJW21191
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1.6A，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRANS PNP 150V 8A TO247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MJW21191		24+		8866		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MJW21191	ON/安森美	22+	TO-3P	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	MJW21191	ON Semiconductor	2022+	TO-247	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	MJW21191	ON/安森美	22+	TO-3P	97325		询价
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上海市鑫鸿达电子	MJW21191G	ON/安森美	2022+		533	全新原装货期两周	询价
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更多MJW21191供应商更新时间2025-12-5 15:30:00

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