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MJU03N60CT	文件：275.7 Kbytes Page：7 Pages	600V Super Junction Power MOSFET 文件：275.7 Kbytes 页数：7 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
MJU03N60CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Super Junction Power MOSFET	CITC 竹懋科技	CITC
MJU03N60CT(Preliminary)	文件：300 bytes Page：1 Pages	SJ MOSFET	CITC 竹懋科技	CITC
NDD03N60Z	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 文件：167.82 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD03N60Z	文件：137.18 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.6 文件：137.18 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD03N60Z	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 文件：298.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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