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MJL21196G	文件：2.54529 Mbytes Page：6 Pages	200 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Type Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL) pkg ·Complement to type MJL21195G APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：2.54529 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
MJL21196G	文件：132.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors 文件：132.52 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJL21196G	文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages	16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W 文件：164.08 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJL21196G	文件：135.58 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors 文件：135.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJL21196G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管/BJT-音频放大	JSMC 华微电子	JSMC
MJL21196G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 16A TO264	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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