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MJK44H11	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK44H11TWG	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJPE44H11	文件：288.52 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD44Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage Applications •Powermanagement •Loadswitch •Linearmodevoltageregulator •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJPE44H11-Q	文件：290.43 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD44Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplication	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NJVMJB44H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11G	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11RLG	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11RLG	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多MJF44H11G三极管供应商更新时间2025-7-29 10:06:00

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