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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT 文件：84.77 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor 文件：214.21 Kbytes 页数：1 Pages | TGS | TGS | ||
Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 80V 4A TO126 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD263A,BD679,BD779,FD50B,2N6039,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
40
产品属性
- 产品编号：
MJE802
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
SOT-32
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M |
24+ |
TO 126 |
157360 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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TO-126 |
45000 |
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TO126 |
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ONSEMI |
25+ |
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24+ |
5000 |
公司存货 |
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24+ |
原厂封装 |
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原装现货假一罚十 |
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16+ |
TO-126 |
10000 |
全新原装现货 |
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ST |
24+ |
TO-126 |
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ST专营品牌全新原装热卖 |
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ON |
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TO-126 |
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ST |
20+ |
TO-126 |
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更新时间2026-1-22 19:09:00
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