MJE701数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MJE701 |
| 参数属性 | MJE701 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3 |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找货 | MJE701价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJE701规格书详情
描述 Description
Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
• High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= -1.5 and -2.0A DC
• Complement to MJE800/801/802/803
简介
MJE701属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJE701晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
MJE701STU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.8V @ 40mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3415 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO126 |
7350 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-225AATO-126 |
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22+ |
TO126 |
100000 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-126 |
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ON/安森美 |
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TO-225-3 |
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ON/ST |
1738+ |
TO-126 |
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ON/安森美 |
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TO-225AATO-126 |
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ST/ON |
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