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MJE5731数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE5731

参数属性

MJE5731 封装/外壳为TO-220-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 350V 1A TO220

功能描述

1.0 A,350 V,PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 350V 1A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:08:00

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MJE5731规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.

特性 Features

• 300 V to 400 V (Min) - VCEO(sus)
• 1.0 A Rated Collector Current
• Popular TO-220 Plastic Package
• PNP Complements to the TIP47 thru TIP50 Series
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJE5731属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE5731晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE5731

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :350

  • VCBO (V)

    :350

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.5

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :150

  • fT Min (MHz)

    :10

  • PTM Max (W)

    :40

  • Package Type

    :TO-220-3

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