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MJE5730中文资料1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MJE5730

参数属性

MJE5730 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 300V 1A TO220

功能描述

1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS

封装外壳

TO-220-3

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MJE5730

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 300mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 300V 1A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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