MJE5742中文资料8.0 A, 400 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJE5742 |
| 参数属性 | MJE5742 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 400V 8A TO220 |
| 功能描述 | 8.0 A, 400 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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MJE5742规格书详情
描述 Description
The MJE5742 Darlington transistors is designed for high voltage power switching in inductive circuits.
特性 Features
• These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
• Complementary to MJE5740
应用 Application
• Small Engine Ignition
• Switching Regulators
• Inverters
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls
简介
MJE5742属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJE5742晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJE5742
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：8
- V(BR)CEO Min (V)
：400
- VCE(sat) Max (V)
：2
- hFE Min (k)
：0.2
- hFE Max (k)
：-
- fT Min (MHz)
：-
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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