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MJE5742数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE5742

参数属性

MJE5742 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 400V 8A TO220

功能描述

8.0 A, 400 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
TRANS NPN DARL 400V 8A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:49:00

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MJE5742规格书详情

描述 Description

The MJE5742 Darlington transistors is designed for high voltage power switching in inductive circuits.

特性 Features

• These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
• Complementary to MJE5740

应用 Application

• Small Engine Ignition
• Switching Regulators
• Inverters
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls

简介

MJE5742属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE5742晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE5742

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :8

  • V(BR)CEO Min (V)

    :400

  • VCE(sat) Max (V)

    :2

  • hFE Min (k)

    :0.2

  • hFE Max (k)

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • Package Type

    :TO-220-3

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