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MJE700T	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to Limit Leakage − Multiplication • Choice of Packages − M 文件：256.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE700T	文件：194.68 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTIC DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. FEATURES * High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplicat 文件：194.68 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJE700T	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication • Choice of Packages — MJE700 and MJE800 series 文件：256.45 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJE700T	文件：250.87 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEO =-60 V • DC Current Gain— : hFE = 750(Min) @ IC=-1.5A • Complement to Type MJE800T APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：250.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJE700T	文件：81.9 Kbytes Page：2 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors ... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. • High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication • Choice of Packages — MJE700 and MJE800 series 文件：81.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE700T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.• High DC Current Gain —\n hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc\n• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to Limit Leakage\n Multiplication\n• Choice of Packages —\n MJE700 and MJE800 series\n	恩XP	恩XP
MJE700T	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)	Mospec 统懋	Mospec
MJE700T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
MJE700T
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD716,BDW24A,BDW54A,BDW64A,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
1000100
atest：
4
wtest：
50

技术参数

Case：
TO-220
Configuration/ Description：
PNP Darlington
Polarity：
PNP
IC MAX：
4A
PD MAX：
50W
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
750
@VCE：
3V
VCE(SAT) MAX：
2.5V
@IC：
1.5A
@IB：
30mA
fT MIN：
1MHz

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