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MJE181	文件：48.85 Kbytes Page：4 Pages	Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications Low Current High Speed Switching Applications 文件：48.85 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJE181	文件：172.52 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Complementary Plastic Silicon Power Transistors The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc − MJE170, MJE180 = 60 Vdc − MJE171, 文件：172.52 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE181	文件：556.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE170, 171, 172 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE180, 181, 182 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：556.74 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
MJE181	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR 文件：71.77 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE181	文件：228.62 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：228.62 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJE181	文件：172.52 Kbytes Page：4 Pages	3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60-80 VOLTS 12.5 WATTS 3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60–80 VOLTS 12.5 WATTS . . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc — MJE172, MJE182 文件：172.52 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJE181	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designed for low power amplifier and low current, high speed switchii applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining VoHage- VCEO(SUS) =40 V (Min) - MJE170.MJE180 = 60 V (Min) - MJE171.MJE181 文件：95.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE181	文件：102.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type MJE170/171/172 APPLICATIONS ·For low power audio amplifier and low current high speed switching applications 文件：102.83 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJE181	文件：104.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：104.4 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJE181	文件：107.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：107.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
MJE181
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD177,BD187,BD235,BD439,SDD373B,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
MJE181
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.7V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO126

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