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MJE13001-E	文件：281.88 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MJE13003-E designed for use in high–volatge, high speed,power switching in inductive circuit, It is particularly suited for 115 and 220V switchmode applications such as switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor control, Solenoid/Relay drivers and deflection circu 文件：281.88 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE13001-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR The UTC MJE13003-E designed for use in high–volatge,high speed,power switching in inductive circuit, It is particularly suited for 115 and 220V switchmode applications such as switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor control, Solenoid/Relay drivers and deflection circuits. Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO (sus)=300V. Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)=1.0V(Max.) @IC=1.0A, IB =0.25A Switch Time- tf =0.7μs(Max.) @Ic=1.0A.;	UTC 友顺	UTC
MJE13001H	文件：322.36 Kbytes Page：4 Pages	NPN MJE SERIES TRANSISTORS 文件：322.36 Kbytes 页数：4 Pages	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MJE13001-P	文件：196.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES * Collector-base voltage: V(BR)CBO=600V * Collector current: IC=0.2A 文件：196.88 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE13001-Q	文件：223.75 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：223.75 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

BVceo (V)：
400
BVcbo (V)：
700
Ic (A)：
1.5
hFE (min)：
8
hFE (max)：
40
Vce (Max)(V)：
0.5
Vce (Sat)(V)：
0.5
Package：
TO-92 / TO-126S

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更多MJE13001-E供应商更新时间2026-1-27 10:04:00

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