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MJD42C-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD42C-Q
厂商型号

MJD42C-Q

参数属性

MJD42C-Q 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 6A DPAK

功能描述

100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor

丝印标识

MJD42CA

封装外壳

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

223.58 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 10:06:00

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MJD42C-Q规格书详情

Features and benefits

• High thermal power dissipation capability

• High energy efficiency due to less heat generation

• Electrically similar to popular MJD42 series

• Low collector emitter saturation voltage

• Fast switching speeds

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

Applications

• Power management

• Load switch

• Linear mode voltage regulator

• Constant current drive backlighting application

• Motor drive

• Relay replacement

产品属性

  • 产品编号:

    MJD42C-QJ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 300mA,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 6A DPAK

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