MJD42C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD42C |
| 参数属性 | MJD42C 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 6A DPAK |
| 功能描述 | isc Silicon PNP Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
183.39 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 13:28:00 |
| 人工找货 | MJD42C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD42C规格书详情
DESCRIPTION
• DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= -0.3A
• Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = -100V(Min)
• Complement to Type MJD41C
• DPAK for Surface Mount Applications
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
• Designed for use in general purpose amplifer and low speed
switching applications
产品属性
- 产品编号：
MJD42C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS PNP 100V 6A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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