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MJD41CT4

Complementary Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PWR NPN 6A 100V DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4G

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK for Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Elect

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ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4G

Complementary Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4G

Complementary Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4G

Complementary Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4G

三极管

ONSEMI

安森美半导体

MJD41CT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 6A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD41CT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR NPN 6A 100V DPAK

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更多MJD41CT4供应商 更新时间2025-10-12 16:36:00