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MJE3055T	文件：121.52 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·ComplementtotypeMJE2955T ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Collector–emittersaturationvoltage-VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purpose switchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE3055T	文件：939.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features LargeDCcurrent(IC=10A),highfT(fT≥2Mhz). Applications Generalpurposeandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE3055T	文件：119.69 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE3055T	文件：47.25 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS PowerTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE3055T	文件：123.16 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE3055T	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJE3055T	文件：85.06 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications FEATURES: PowerDissipation-PD=75W©Tc=25°C DCCurrentGainhFE=20-100©lc=4.0A *vCE(isrt)=1-1V(Max.)©lc=4.0A,IB=400mA	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE3055T	文件：213.09 Kbytes Page：2 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE3055TG	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS−75WATTS MJE2955T(PNP) MJE3055T(NPN) Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingapplications. Features •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain−BandwidthProduct−fT=2.0MHz(Min	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3055TNPN	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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产品属性

产品编号：
MJD3055RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 60V 10A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD3055RLG	onsemi(安森美)	24+	TO-252	2176	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	MJD3055RLG	ON	20+	SMD	11520	特价全新原装公司现货	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	MJD3055RLG	ON/安森美	21+	SMD	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	MJD3055RLG	ON/安森美	23+	SMD	8000	只做原装现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MJD3055RLG	onsemi	25+	TO-252-3 DPak(2 引线 + 接片	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳良洲科技有限公司	MJD3055RLG	ONSEMI	两年内	N/A	3600	原装现货,实单价格可谈	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	MJD3055RLG	onsemi	2025+	DPAK-3	55740		询价
深圳市博中泰实业有限公司	MJD3055RLG	ONSEMI/安森美	24+	DPAK	60000	全新原装现货	询价

更多MJD3055RLG供应商更新时间2025-7-28 8:12:00

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