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MJE3055	文件：1.41214 Mbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeandSwitchingApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJE3055	文件：125.54 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MJE3055	文件：1.37433 Mbytes Page：4 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES GeneralPurposeandSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJE3055	文件：75.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors Features •HighCurrentGain−BandwidthProduct •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant*	SYC SYC Electronica	SYC
MJE3055	文件：213.09 Kbytes Page：2 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE3055A	文件：195.88 Kbytes Page：3 Pages	ComplementarySiliconpowertransistors(10A/60V/75W) DESCRIPTION TheMJE3055Aisasiliconepitaxial-baseplanarNPNtransistorinTO-220ABpackage. ltisintendedforuseingeneral-purposeamplifierandswitdingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955A. FEATURES ●Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MJE3055AT	文件：147.82 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE3055T	文件：64.709 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE3055T	文件：216.66 Kbytes Page：6 Pages	NPN(GENERALPURPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS) GENERALPUPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES HighCurrentGain-BandwidthProduct(fT=25°C)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE3055T	文件：36.92 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
MJD3055RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 60V 10A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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