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MJE3055	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE3055	文件：129.259 Kbytes Page：4 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS75WATTS ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. •DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes •HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE3055	文件：36.92 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE3055	文件：216.66 Kbytes Page：6 Pages	NPN(GENERALPURPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS) GENERALPUPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES HighCurrentGain-BandwidthProduct(fT=25°C)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE3055	文件：64.709 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE3055	文件：55.44 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MJE3055	文件：133.75 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulatePowerTransistors Plastic-EncapsulatePowerTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MJE3055	文件：241.59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=4A ·ComplementtoTypeMJE2955 APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE3055	文件：246.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof2.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current10A •Collector-baseVoltage70V •Operatingandst	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE3055	文件：1.41214 Mbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeandSwitchingApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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