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MJE210	文件：47.62 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■PNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE210isasiliconEpitaxial-BasePNP transistorinJedecSOT-32plasticpackage, designedforlowvoltage,lowpower,highgain audioamplifierapplications.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE210	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE210	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE210	文件：820.3 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,highcurrentgainbandwidthproduct,ComplementtoMJE200. Applications Designedforgeneralaudioamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE210G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE210G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain •LowCollector−EmitterSaturationVoltage •HighCurrent−Gain−BandwidthProduct •AnnularConstructionforLowLeakage •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE210STU	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
MJD210-I
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
D-PAK for Surface Mount Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市永贝尔科技有限公司	MJD210-I	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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