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MJE200	文件：811.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,highcurrentgainbandwidthproduct,ComplementtoMJE210. Applications Designedforgeneralaudioamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE200G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain •LowCollector−EmitterSaturationVoltage •HighCurrent−Gain−BandwidthProduct •AnnularConstructionforLowLeakage •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJS200	文件：89.01 Kbytes Page：2 Pages	LightningSurgeWithstandFuse	bel Bel Fuse Inc.	bel
MJS200-R	文件：1.44605 Mbytes Page：4 Pages	TYPEMJSLIGHTNINGSURGEWITHSTANDFUSE	bel Bel Fuse Inc.	bel
MK200	文件：430.33 Kbytes Page：2 Pages	TypeMKPrecisionPowerFilmRadial-LeadResistors	Caddock Caddock Electronics, Inc.	Caddock
ML200MHI	文件：334.22 Kbytes Page：2 Pages	ML200MHISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ML200SE	文件：578.86 Kbytes Page：2 Pages	2W,SingleOutputUltra-MiniatureSMTDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ML200SEI	文件：579.18 Kbytes Page：2 Pages	2W,HighIsolationUltra-MiniatureSMTDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ML200X	文件：1.67205 Mbytes Page：5 Pages	Ultra-Miniature,2WSingle&DualSMTDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

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产品属性

产品编号：
MJD200RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
65MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 25V 5A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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