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MJ802	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：54.14 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJ802	文件：111.05 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(30A,100V,200W) 30 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100 VOLTS 200 WATTS 文件：111.05 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ802	文件：136.79 Kbytes Page：4 Pages	30 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100 VOLTS 200 WATTS High−Power NPN Silicon Transistor • • • for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100−Watts music power per channel. Features • High DC Current Gain − hFE = 25−100 @ IC = 7.5 A • Excellent Safe Operating Area • Complement to the PNP MJ4502 文件：136.79 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJ802	文件：117.15 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 25-100@IC= 7.5A • Excellent Safe Operating Area • Complement to Type MJ4502 APPLICATIONS • Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel. 文件：117.15 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ802	文件：136.79 Kbytes Page：4 Pages	High-Power NPN Silicon Transistor High−Power NPN Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100−Watts music power per channel. Features • High DC Current Gain − hFE = 25−100 @ IC = 7.5 A • Excellent Safe Operating Area • Complement to the PNP MJ4502 • Pb−Free Packag 文件：136.79 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ802	文件：76.82 Kbytes Page：2 Pages	High-Power NPN Silicon Transistor High-Power NPN Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel. Features • High DC Current Gain - hFE = 25-100 IC = 7.5 A • Excellent Safe Operating Area • Complement to the PNP MJ4502 文件：76.82 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ802	文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type MJ4502 • Excellent safe operating area APPLICATIONS • For use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel 文件：110.6 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ802	文件：55.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER • High Current Capability • High Power Dissipation • Complementary to MJ4502 文件：55.77 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
MJ802	文件：277.89 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJ802 (NPN) and MJ4502 (PNP) are silicon epitaxial-base complementary power transistors in Jedec TO-3 metal case, intended for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：277.89 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJ802	文件：42.92 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTOR 文件：42.92 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
MJ802
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDY29,2N6274,3DD175B,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
90
htest：
999900
atest：
30
wtest：
200

产品属性

产品编号：
MJ802
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 750mA，7.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 7.5A，2V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 90V 30A TO3

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