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MJ410	文件：139.84 Kbytes Page：4 Pages	5 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON High Voltage NPN Silicon Transistors . . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. • High Collector–Emitter Voltage — VCEO = 200 Volts • DC Current Gain Specified @ 1.0 and 2.5 Adc • Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.8 文件：139.84 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJ410	文件：72.6 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 200V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 1A APPLICATIONS • Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. 文件：72.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ410	文件：133.94 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Silicon Transistors . . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. • High Collector-Emitter Voltage— VCEO = 200 Volts • DC Current Gain Specified @ 1 .0 and 2.5 Adc • LowCollector-Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.8 Vdc @ lc = 1 .0 Adc 文件：133.94 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ410	文件：110.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High collector-emitter voltage • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. 文件：110.64 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ410	文件：112.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：112.22 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ410	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec

晶体管资料

型号：
MJ410
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU109,BU210,BUY21,BUY74,3DKG5A,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
200
htest：
999900
atest：
5
wtest：
100

技术参数

VCBO(V)：
200
VCEO(V)：
200
PD(W)：
100
PACKAGE：
TO-3
NPN：
MJ410
HFE(Min/Max)：
30/90
IC/VCE(A/V)：
1.0/5.0
VCE(SAT)(V)：
0.8
IC/IB(A/mA)：
1.0/100

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