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MJ4035	文件：125.29 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,150W) MEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance DCCurrentGainhFE=3500(Typ)@lc=10A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntRes	MOSPEC MOSPEC
MJ4035	文件：69.75 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheMJ4035isasiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase.Itisintededforuseingeneralpurposeandamplifierapplications. ThecomplementaryPNPtypeistheMJ4032. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJ4035	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
MJ4035	文件：588.6 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
MJ4035	文件：130.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •RespectivelycomplementtotypeMJ4030/4031/4032 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MJ4035	文件：220.75 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS MEDIUMPOWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-basePNPpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintentedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Thecompleme	COMSET Comset Semiconductor
MJ4035	文件：110.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •RespectivelycomplementtotypeMJ4030/4031/4032 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
MJ4035	文件：88.99 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS MEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance DCCurrentGainhFE=3500(Typ)@lc=10A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntResi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MJ4035	文件：112.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
MJ4035	文件：79.24 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor
MJ4035	文件：582.44 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
MJ4035	文件：51.93 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJ4035	文件：187.66 Kbytes Page：2 Pages	SILICON DARLINGTON NPN TRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB
MJ4035	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 16A TO3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
4035	文件：71.79 Kbytes Page：3 Pages	CONNECTORIZEDPHASESHIFTERS DESCRIPTION Digitalphaseshiftersoptimizedforlowlossand/orhighpower.Eachonefeaturesauniquecapabilitywhichallowsittobeusedineitherthetransmitorreceivepath.Hermetic,military/industrialdesign. ADDITIONALFEATURES(#4031) ■Lowloss:1.7dB ■RFpower:50dBm CONNECT	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.
4035B	文件：149.93 Kbytes Page：3 Pages	4-BITUNIVERSALSHIFTREGISTER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ACTF4035	文件：163.11 Kbytes Page：3 Pages	RFfilter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术
AG4035CS	文件：716.02 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1LANFILTERMODULE	ALLIED Allied Components International
AN4035	文件：582.45 Kbytes Page：42 Pages	Flashprogrammingthrough	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
CD4035	文件：269.47 Kbytes Page：6 Pages	CMOS4-STAGEPARALLELIN/PARALLELOUTSHIFTREGISTER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

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晶体管资料

型号：
MJ4035
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
16A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV67A...D,BDW83C...D,BDX67B...C,FH9D,2N6284,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
16
wtest：
150

产品属性

产品编号：
MJ4035
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，16A
电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 10A，3V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 16A TO3

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更多MJ4035供应商更新时间2024-4-25 17:00:00

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