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MJ4035	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：54.14 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJ4035	文件：588.6 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：588.6 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJ4035	文件：125.29 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,150W) MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ...designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. FEATURES: * High Gain Darlington Performance * DCCurrent Gain hFE = 3500(Typ) @ lc = 10A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Res 文件：125.29 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ4035	文件：220.75 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS They are silicon epitaxial-base PNP power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case. They are intented for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The compleme 文件：220.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
MJ4035	文件：130.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Respectively complement to type MJ4030/4031/4032 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications 文件：130.02 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ4035	文件：253.77 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 10A ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Switching ·Amplifier 文件：253.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ4035	文件：88.99 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ...designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications FEATURES: * High Gain Darlington Performance * DCCurrent Gain hFE = 3500(Typ) @ lc = 10A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resi 文件：88.99 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ4035	文件：110.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Respectively complement to type MJ4030/4031/4032 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications 文件：110.99 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ4035	文件：69.75 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJ4035 is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. It is inteded for use in general purpose and amplifier applications. The complementary PNP type is the MJ4032. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYP 文件：69.75 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJ4035	文件：51.93 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：51.93 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
MJ4035
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
16A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV67A...D,BDW83C...D,BDX67B...C,FH9D,2N6284,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
16
wtest：
150

产品属性

产品编号：
MJ4035
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，16A
电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 10A，3V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 16A TO3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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