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MJ4032	文件：51.93 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：51.93 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJ4032	文件：300 bytes Page：1 Pages	150W PNP Darlington BJT Transistor This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
MJ4032	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington	Central	Central
MJ4032	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
MJ4032	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 16A TO3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJ4032_03	文件：51.93 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：51.93 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
MJ4032
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
16A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV66A...D,BDW84C...D,BDX66B...C,2N6287,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
16
wtest：
150

产品属性

产品编号：
MJ4032
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 40mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 10A，3V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS PNP DARL 100V 16A TO3

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