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MJ15024 | POWER TRANSISTOR(16A,200-250V,250W) SiliconPowerTransistors TheMJ15022andMJ15024arePowerBasepowertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. FEATURES •HighSafeOperatingArea •HighDCCurrentGain- hFE=15(Min)@Ic=8.0AVCE=4.0V | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
MJ15024 | Silicon Power Transistors SILICONPOWERTRANSISTORS TheMJ15022andMJ15024arePowerBasepowertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. •HighSafeOperatingArea(100Tested)—2A@80V •HighDCCurrentGain—hFE=15(Min)@IC=8Adc | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | |
MJ15024 | SILICON POWER TRANSISTORS TheMJ15022andMJ15024arePowerBasepowertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. Features •HighSafeOperatingArea(100Tested)−2A@80V •HighDCCurrentGain−hFE=15(Min)@IC=8Adc •Pb−FreePackagesareAvailable* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MJ15024 | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(for AUDIO POWER AMPLIFIER, DC TO DC CONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER ●HighCurrentCapability ●HighPowerDissipation ●ComplementarytoMJ15025 | WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司 | WINGS | |
MJ15024 | Silicon Power Transistors TheMJ15022andMJ15024arePowerBasepowertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. Features •HighSafeOperatingArea(100Tested)−2A@80V •HighDCCurrentGain−hFE=15(Min)@IC=8Adc •Pb−FreePackagesareAvailable* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MJ15024 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ15023MJ15025 •ExcellentSafeOperatingArea •HighDCCurrentGain hFE=15(Min)@IC=8Adc APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司 | JMNIC | |
MJ15024 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ15023;MJ15025 •Excellentsafeoperatingarea •HighDCcurrentgain hFE=15(Min)@IC=8Adc APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
MJ15024 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ15023;MJ15025 •Excellentsafeoperatingarea •HighDCcurrentgain hFE=15(Min)@IC=8Adc APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
MJ15024 | Silicon Power Transistors SiliconPowerTransistors TheMJ15022andMJ15024arePowerBasepowertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. Features •HighSafeOperatingArea(100Tested)-2A@80V •HighDCCurrentGain-hFE=15(Min)@Ic=8Adc | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
MJ15024 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
400V
- 最大电流允许值：
16A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
250W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
400
- htest：
999900
- atest：
16
- wtest：
250
详细参数
- 型号：
MJ15024
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 16A 250V 250W NPN
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
9008 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
M |
24+ |
TO 3 |
157382 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
2015+ |
100 |
公司现货库存 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
17+ |
TO-3 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
MOTOROLA(摩托罗拉) |
2023 |
10000 |
全新、原装 |
询价 | |||
M |
24+ |
TO-3 |
66800 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力！ |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
13415 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
ON |
2024+ |
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70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO3 |
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ON |
23+ |
TO-3 |
5500 |
现货,全新原装 |
询价 |
