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MJ15012G	文件：61.77 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors MJ15011(NPN, MJ15012(PNP) 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS The MJ15011 and MJ15012 are PowerBase power transistors designed for high−power audio, disk head positioners, and other linear applications. These devices can also be used in power switching circui 文件：61.77 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTP15012	文件：661.37 Kbytes Page：3 Pages	Three-Phase Bridge Rectifier 文件：661.37 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
MTP15012D	文件：672.7 Kbytes Page：3 Pages	Three-Phase Bridge Rectifier 文件：672.7 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
MTP15012I	文件：605.89 Kbytes Page：3 Pages	Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier 文件：605.89 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI

详细参数

型号：
MJ15012G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 10A 250V 200W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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