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MJ15012G中文资料PDF规格书

MJ15012G
厂商型号

MJ15012G

功能描述

Complementary Silicon Power Transistors

文件大小

61.77 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 19:12:00

MJ15012G规格书详情

MJ15011(NPN,

MJ15012(PNP)

10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS

The MJ15011 and MJ15012 are PowerBase power transistors designed for high−power audio, disk head positioners, and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc−to−dc converters or inverters.

• High Safe Operating Area (100 Tested) 1.2 A @ 100 V

• Completely Characterized for Linear Operation

• High DC Current Gain and Low Saturation Voltage hFE = 20 (Min) @ 2 A, 2 V

VCE(sat) = 2.5 V (Max) @ IC = 4 A, IB = 0.4 A

• For Low Distortion Complementary Designs

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

  • 型号:

    MJ15012G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 10A 250V 200W PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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