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MJ15001	文件：165.74 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Complementary Silicon Power Transistors The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. Features • High Safe Operating Area (100 Tested) − 5.0 A @ 40 V 文件：165.74 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ15001	文件：71.6 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 文件：71.6 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ15001	文件：165.74 Kbytes Page：4 Pages	15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 140 VOLTS 200 WATTS 文件：165.74 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MJ15001	文件：129.669 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：129.669 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ15001	文件：111.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：111.19 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ15001	文件：112.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：112.78 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ15001	文件：114.26 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 文件：114.26 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ15001	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 140V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray	NJS	NJS
MJ15001	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
MJ15001	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec

产品属性

产品编号：
MJ15001
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 4A，2V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN 140V 15A TO204

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更多MJ15001供应商更新时间2025-12-8 19:10:00

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