MJ14002数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MJ14002 |
| 参数属性 | MJ14002 封装/外壳为TO-204AE；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 60A TO204 |
| 功能描述 | 60 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-204AE |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
| 人工找货 | MJ14002价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJ14002规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching circuit applications..The MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes
• DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc
• Pb-Free Packages are Available
简介
MJ14002属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJ14002晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJ14002
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：60
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：4
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：15
- hFE Max
：100
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：300
- Package Type
：TO-204-2/TO-3-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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