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MJ11032数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJ11032

参数属性

MJ11032 封装/外壳为TO-204AE;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

功能描述

50 A,120 V,NPN 达林顿双极功率晶体管
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

封装外壳

TO-204AE

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:36:00

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MJ11032规格书详情

描述 Description

These Bipolar Power Darlington Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

特性 Features

• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed)
• Diode Protection to Rated IC
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200°C
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJ11032属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJ11032晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJ11032

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :50

  • V(BR)CEO Min (V)

    :120

  • VCE(sat) Max (V)

    :2.5

  • hFE Min (k)

    :1

  • hFE Max (k)

    :18

  • fT Min (MHz)

    :-

  • Package Type

    :TO-204-2/TO-3-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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