MJ11032中文资料50 A，120 V，NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJ11032 |
| 参数属性 | MJ11032 封装/外壳为TO-204AE；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 |
| 功能描述 | 50 A，120 V，NPN 达林顿双极功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-204AE |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 23:00:00 |
| 人工找货 | MJ11032价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJ11032规格书详情
描述 Description
These Bipolar Power Darlington Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
特性 Features
• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed)
• Diode Protection to Rated IC
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200°C
• Pb-Free Packages are Available
简介
MJ11032属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的MJ11032晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJ11032
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：50
- V(BR)CEO Min (V)
：120
- VCE(sat) Max (V)
：2.5
- hFE Min (k)
：1
- hFE Max (k)
：18
- fT Min (MHz)
：-
- Package Type
：TO-204-2/TO-3-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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