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MJ12010	文件：42.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：42.01 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ12010	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 400V 10A	NJS	NJS
MOAH12010A	文件：120.06 Kbytes Page：1 Pages	Oven Controlled Oscillator 文件：120.06 Kbytes 页数：1 Pages	MMD	MMD
MOAH12010B	文件：120.06 Kbytes Page：1 Pages	Oven Controlled Oscillator 文件：120.06 Kbytes 页数：1 Pages	MMD	MMD
MOAH12010C	文件：120.06 Kbytes Page：1 Pages	Oven Controlled Oscillator 文件：120.06 Kbytes 页数：1 Pages	MMD	MMD

晶体管资料

型号：
MJ12010
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
电视（TV）_水平输出（Hout）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
3DD264D,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
0
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
5@1.2A@5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
400V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
100000mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
NPN

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更多MJ12010供应商更新时间2026-1-21 14:02:00

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