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MJ11029G	文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages	High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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11029	文件：130.419 Kbytes Page：1 Pages	PVCandNylonLEDSpacers	HeycoHeyco. 海科	Heyco
MJ11029	文件：84.48 Kbytes Page：2 Pages	High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@Ic=25Adc hFE=400(Min)@Ic=50Adc •Curvesto100A(P	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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MJ11029	文件：53.61 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=-60V(Min.) •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=-25A :hFE=400(Min.)@IC=-50A •ComplementtoTypeMJ11028 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplic	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MJ11029	文件：59.19 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPOWERTRANSISTOR FEATURES •HIGHDCCURRENTGAIN HFE=1000Min@IC=25A HFE=400Min0@IC=50A •CURVESTO100A(Pulsed) •DIODEPROTECTIONTORATEDIC •MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILT-INBASE–EMITTERSHUNTRESISTOR •JUNCTIONTEMPERATURETO+200°C APPLICATIONS Foruseasoutputde	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MJ11029	文件：154.67 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTOR(50A,60-120V,300W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Mi	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ11029	文件：153.97 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS High−CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc •Curvesto100A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MJ11029G
功能描述：
达林顿晶体管 50A 60V Bipolar Power PNP
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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