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MJD148	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPowerTransistor NPNSiliconPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •HighGain−50Min@IC=2.0A •LowSaturationVoltage−0.5V@IC=2.0A •HighCurrentGain−BandwidthProduct−fT=3.0MHzMin@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD148	文件：115.31 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD148	文件：244.77 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=85(Min)@IC=0.5A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=2A •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseingeneral	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD148	文件：91.63 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD148	文件：596.78 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD148	文件：220.69 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Electricallysimilartopopul	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD148	文件：279.09 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=45V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.5V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD148-Q	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD148series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD148-QJ	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD148series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MRF148	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM

详细参数

型号：
MJ-148REV
制造商：
Schurter Electronic Components
功能描述：
AUDIO SOCKET 3.5MM 2P PCB - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MJ-148REV供应商更新时间2025-5-22 13:21:00

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