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MJ11019	文件：206.76 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W) 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 150 - 250 VOLTS 175 WATTS MJ11017,MJ11019,MJ11021 => PNP MJ11018,MJ11020,MJ11022 => NPN 文件：206.76 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ11019	文件：83.02 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain-: hFE = 400(Min)@ IC= -10A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS) = -200V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -10A = -3.4V(Max)@ IC= 文件：83.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ11019	文件：21.7 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS 文件：21.7 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
MJ11019	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 200V 30A	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
MJ11019
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
β>400
图片代号：
E-44
vtest：
200
htest：
4000100
atest：
30
wtest：
175

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
400@10A@5V
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
30A
Maximum Collector Emitter Voltage：
200V
Maximum Collector Base Voltage：
200V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
3.8@150mA@15AV
Configuration：
Single

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