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MJ10020	文件：211.84 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(60A,200-250V,250W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	60 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 250 WATTS SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlington TransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SWITCHMODE™Series NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ10020	文件：101.44 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Darlington Transistors with Base-Emitter Speedup Diode SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperateds	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ10020	文件：1.85377 Mbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Power DarligtonTransistor with Base-Emitter Speedup Diode 60 AMPERE, 200 AND 250 VOLTS, 250 WATTS FEATURES: 1.FastTurn–OffTimes 150nsInductiveFallTimeat25ºC(Typ) 750nsInductiveStorageTimeat25ºC(Typ) 2.OperatingTemperatureRange–65to+200ºC 3.100ºCPerformanceSpecifiedfor: ReversedBiasedSOAwithInductiveLoads SwitchingTimeswithInductiveLoads Saturatio	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MMAJ-10020LA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020LY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020MA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020MY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MUR10020	文件：124.64 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

晶体管资料

型号：
MJ10020
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
60A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
2SD643,
最大耗散功率：
250W
放大倍数：
β>75
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
60
wtest：
250

详细参数

型号：
MJ10020
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MJ10020供应商更新时间2025-5-23 10:02:00

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